退火爐是在半導體元器件生產制造中采用的一種加工工藝，其包含加溫好幾個半導體芯片芯片以危害其電氣性能。熱處理工藝是對于不一樣的實際效果而制定的。可以加溫芯片以激話摻雜劑，將薄膜轉化成薄膜或將薄膜轉換成芯片襯底頁面，使高密度堆積的薄膜，更改生長發(fā)育的薄膜的情況，修補引入的損害，挪動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜遷移到另一個薄膜或從薄膜進到圓晶襯底。退火爐可以集成化到別的火爐解決過程中，例如空氣氧化，或是可以自已解決。

　　退火爐是由加溫半導體材料芯片而制定的機器設備進行的。退火爐是周期時間式作業(yè)爐，節(jié)能構造，選用纖維組織，省電60%。

　　退火爐體的結構、加熱工藝、溫度操作及爐內氣氛等，直接影響產品的加工質量。加溫過程中，提高了金屬的加熱溫度，可以降低變形阻力，但過高的溫度會導致晶粒長大、氧化或過燒，嚴重影響工件質量。退火時，如果將鋼材加熱到某一臨界點以上，然后突然冷卻，則能夠提高鋼的硬度和強度；如果將其加熱到某一臨界點后慢慢冷卻，那么鋼的硬度便會降低，從而提高韌性。

　　為得到尺寸精確、表面光潔的工件，或為達到保護模具、減少加工余量等目的，可以選擇多種少氧化加熱爐。采用有少量開放無氧化的加熱爐燃料不完全燃燒產生還原氣，對工件進行加熱可以使氧化燒損率降至0.3。